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[국내논문] 실리콘 기판상의 ZnO 박막의 성장 및 구조적 특성
Growth and structural characterization of ZnO thin film on silicon substrate by MOCVD method 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.11 no.2, 2002년, pp.97 - 102  

김광식 (인하대학교 재료공학부) ,  이정호 (인하대학교 재료공학부) ,  김현우 (인하대학교 재료공학부)

초록
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유기금속화학기상증착방법 (metal-organic chemical vapor deposition : MOCVD)을 이용하여 실리콘 (100) 기판위엔 ZnO막을 증착하였다. 공정온도 ($250^{\circ}C$~$400^{\circ}C$)와 Ar과 $O_2$가스의 유량 비 변화에 따른 ZnO막의 특성변화를 조사하였다. 막의 결정성은 공정온도가 증가함에 따라 향상되었으며 $400^{\circ}C$에서 $0.4^{\circ}$의 반치폭(full width at half maximum : FWHM)을 얻었다. 공정온도 변화에 따른 표면 평활도(surface smoothness)변화는 결정성과 반대의 경향성을 보였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Highly-oriented ZnO thin films has been successfully deposited on Si(100) by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) at $250^{\circ}C$~$400^{\circ}C$ We report on the structural properties of ZnO thin film at various temperatures and at various ratios of the he and ...

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