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MOSFET의 Effective Channel Length를 추출하기 위한 C-V 방법의 타당성 연구
A Study on the Validity of C-V Method for Extracting the Effective Channel Length of MOSFET) 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.39 no.10 = no.304, 2002년, pp.1 - 8  

이성원 (이화여자대학교 정보통신학과) ,  이승준 (이화여자대학교 전자공학과) ,  신형순 (이화여자대학교 전자공학과)

초록
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C-V 방법은 소형화된 MOSFET에서 effective channel length(L/sub eff/)를 추출하기 위한 방법 중 한가지이다. 이 방법은 critical gate bias point에서 channel length에 영향을 받지 않는 extrinsic overlap 영역의 길이(△L)를 구하여 L/sub eff/를 추출하게 된다.본 논문에서는 서로 다른 두 개의 C-V 방법에 대해 실험을 수행하였다. 그리고 실험으로 추출한 값과 2차원 소자 시뮬레이터의 결과를 비교하여 C-V 방법의 정화도를 분석하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

C- V method is a means to determine the effective channel length for miniaturized MOSFET's. This method achieves L$_{eff}$ by extracting a unique channel length independent extrinsic overlap length($\Delta$L) at a critical gate bias point. In this paper, we conducted an experim...

참고문헌 (8)

  1. B.J. Sheu and P.K. Ko, 'A Capacitance Method to Determine Channel Lengths for Conventional and LDD MOSFET's' IEEE Electron Device Lett., Vol. EDL-5, p. 491, 1984 

  2. P. Vitanov, U. Schwabe and I, Eisele, 'Electrical Characterize of Feature Sizes and Parasitic Capacitances Using a Single Test Structure,' IEEE Trans, Electron Devices, Vol. ED-31, p. 96, 1984 

  3. C.T. Yao, I.A. Mack and H.C. Lin, 'Accuracy of Effective Channel-Length Extraction Using the Capacitance Method' IEEE Electron Devices Lett., Vol.EDL-7, p.268, 1986 

  4. P. Viatanove, T. Dimitrova, R. Kamburova and K. Filljov, 'Capacitance Method for determination of LDD MOSFET Geometrical Parameters,; Soild-State Electronics, Vol. 35, p. 985, 1992 

  5. J.-C, Guo, S. S-S. Chung, and C. C.-H, Hsu, 'A New Approach to Determine the Effective Channel Length and the Drain-and-Source Series Resistance of Minaturized MOSFET's' IEEE Trans Electron Devices, Vol. 41, p. 403, 1994 

  6. L. Selmi, E. Sangiori and B. Ricco, 'Parameter extraction from I-V Characteristics of single MOSFET's' IEEE Trans Electron Devices, Vol.36, p.1094, 1989 

  7. R Narayanan, 'Two-dimensional nurmerical analysis for extracting the effective channel lenth of shor-channel MOSFETs', Solid-state Eletronics, Vol. 38, p. 1155, 1995 

  8. MEDICI Manual (version 4.0.0) 

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