최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.17 no.6, 2013년, pp.1409 - 1413
This paper analyzed the change of subthreshold current for channel doping concentration of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained a...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
단채널 효과에 의한 문제점 중 차단전류 특성의 저하는 어떤 문제를 야기시키는가? | 채널길이의 감소는 전류량의 증가, 입력커패시턴스의 감소, 동작주파수의 증가 및 셀면적의 감소등과 같은중요한 장점을나타내는 반면, 문턱전압의 이동, 드레인 유도 장벽감소, 문턱전압이하 스윙특성 저하 등과 같은 심각한 단채널 효과에 의한 소자기능 저하를 발생시키고 있다. 이러한 문제점 중 차단전류 특성의 저하는 트랜지스터의 디지탈 동작에 문제점을 야기시킨다. 단채널 효과를 해결하기 위하여 트랜지스터의 구조를 변경하여 게이트단자에 의한 전류제어능력을 향상시켜 단채널 효과를 감소시키고자 하는 연구가 활발히 진행되었으며 그 결과, CMOS FET를 대치할 가장 각광받는 소자로 다중게이트(Multi Gate ; Mug) MOSFET에 대한 연구가 활발히 진행중이다[1]. | |
모바일 기기의 특성상 마이크로프로세서 및 메모리소자는 어떻게 제작되어야 하는가? | 세계 유명 반도체 업계는 모바일시대가 도래하면서 모바일기기에 들어가는 반도체소자의 개발에 모든 역량을 집중하고 있다. 모바일기기의 특성상 마이크로프로세서 및 메모리소자는 집적도를 증가시키면서 초소형으로 제작하여야만 한다. 집적회로를 초소형으로 제작하기 위하여 필수불가결한 사항은 트랜지스터 자체의 특성을 유지하면서 트랜지스터를 초소형으로 제작하여야 한다. | |
집적회로를 초소형으로 제작하기 위해 반드시 필요한 것은 무엇인가? | 모바일기기의 특성상 마이크로프로세서 및 메모리소자는 집적도를 증가시키면서 초소형으로 제작하여야만 한다. 집적회로를 초소형으로 제작하기 위하여 필수불가결한 사항은 트랜지스터 자체의 특성을 유지하면서 트랜지스터를 초소형으로 제작하여야 한다. 현재 가장 광범위하게 사용되고 있는 CMOSFET의 경우 고집적을 위하여 초소형으로 제작하기 위해선 채널길이 감소에 의하여 발생하는 단채널 효과 등을 해결하여야만 한다. |
M. Schwarz, T.Holtij, A.Kloes and B.Iniguez, "2D Analytical Framework for Compact Modeling of the Electrostatics in Undoped DG MOSFETs," 18th International conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, Poland, 16-18th June, pp.405- 410, 2011
P. K. Tiwari, S. Kumar, S. Mittal, V. Srivastava, U. Pandey and S. Jit, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double- Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile," IMPACT-2009, pp.52-55, 2009.
D. S. Havaldar, G.Katti, N.DasGupta and A.DasGupta, "Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, no.4, 2006.
H. K. Jung and J.I.Lee,"Analysis on Off-Current of Double Gate MOSFET for Composition of Forward and Backward Current,"Lecture Notes in Electric Engineering 2013, in printing.
Q. Chen, B. Agrawal and J. D. Meindl ,"A Comprehensive Analytical Subthreshold Swing(S) Model for Double-Gate MOSFETs,"IEEE Trans. Electron Devices, vol. 49, no.6, pp.1086-1090. 2002.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.