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NTIS 바로가기한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.6 no.1, 2002년, pp.109 - 114
정정수 (군산대학교 전자정보공학부) , 김재홍 (군산대학교 전자정보공학부) , 고석웅 (군산대학교 전자정보공학부) , 이종인 (군산대학교 전자정보공학부) , 정학기 (군산대학교 전자정보공학부)
In this paper, we have presented the simulation results ah)ut threshold voltage for Si-based MOSFETs with channel length of nano scale. We simulated the Si-based n channel MOSFETs with gate lengths from 180 to 30 nm in accordance to the constant voltage scaling theory and the lateral scaling. These ...
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Dale L. Critchlow, MOSFET Scaling-The Driver of VLSI Technology, Proceedings of the IEEE, Vol. 87. No. 4, April 1999, pp. 659-667
C. K. You, S.W. Ko, H.K. Jung, and K. Taniguchi, A Study on Temperature- and Field-dependent Impact Ionization Coefficient for Silicon using Monte Carlo Simulation, Proc. 25th Int. Conf. Phys. Semicond., Osaka, 2000, pp. 164-165
Sheng-Lyang Jang, Shau-Shen Liu and Chorng-Jye Sheu, A Compact LDD MOS- FET I-V Model Based on Nonpinned Surface Potential, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 45, No. 12, December 1998, pp. 2489-2498
F. J. Garcia Sanchez, A. Ortiz-Conde, G. De Mercato, J.A. Salcedo, J. J. Liou, Y. Yue, New simple procedure to determine the threshold voltage of MOSFETs, Solid-State Electronics, Vol. 44, 2000, pp. 673-675
M. J. Van Dort, P. H. woerlee and A. J. Walker, A Simple Model for Quantisation Effects in Heavily-Doped Silicon MOSFETs at Inversion Conditions, Solid-State Electronics Vol. 37, No. 3, 1994, pp. 411-414
Morikazu Tsuno, Masato Suga, Masayasu Tanaka, Kentaro Shibahara, Mitiko Miura Mattausch, and Masataka Hirose, Physically Based Threshold Voltage Determination for MOSFETs of All Gate Lengths, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 46, No. 7, July 1999, pp. 1429-1434
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