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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.16 no.3, 2003년, pp.186 - 189
이규일 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 강현일 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 박영 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 박기엽 (부산정보대학 전기전자공학과) , 송준태 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과)
The role of excess Pb about the crystallization behavior and electrical properties in b(Zr
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Ha, S.M., Kim, D.H., Park, H.H., Kim, T.S.. Crystallization and ferroelectric behavior of sputter deposited PZT using a target containing excess Pb and O contents. Thin solid films, vol.355, 525-530.
Yang, Jun-Kyu, Kim, Woo Sik, Park, Hyung-Ho. The effect of excess Pb content on the crystallization and electrical properties in sol–gel derived Pb (Zr0.4Ti0.6)O3 thin films. Thin solid films, vol.377, 739-744.
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