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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.36 no.2, 2003년, pp.135 - 140
신희연 (성균관대학교 금속ㆍ재료공학부) , 정성훈 (성균관대학교 금속ㆍ재료공학부) , 유지범 (성균관대학교 금속ㆍ재료공학부) , 서수정 (성균관대학교 금속ㆍ재료공학부) , 양철웅 (성균관대학교 금속ㆍ재료공학부)
The difference in lattice parameter and thermal expansion coefficient between GaN and Si which results in many defects into the grown GaN is larger than that between GaN and sapphire. In order to obtain high quality GaN films on Si substrate, it is essential to understand growth characteristics of G...
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