최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.11, 2010년, pp.848 - 853
우시관 (충남대학교 물리학과) , 신대근 (충남대학교 물리학과) , 오병성 (충남대학교 물리학과) , 이형규 (충북대학교 전자공학부)
We have grown GaN nanowires by the low pressure MOCVD method on Ni deposited oxidized Si surface and have established optimum conditions by observing surface microstructure and its photoluminescence. Optimum growth temperature of
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
나노선을 소자화하기 위한 최대 걸림돌은 무엇인가? | GaN, ZnO의 나노선 성장은 기존의 화합물 반도체 박막을 에피성장에 사용하였던 장비들을 사용하여 성장하고 있으며 특히 기판의 격자상수가 나노선의 그것과 유사할 때 나노선이 기판으로부터 수직으로 성장되는 것이 관측되기도 한다 [6-11]. 이들 나노선을 소자화하기 위한 최대 걸림돌은 원하는 위치에 나노선을 제어하는 기술이다. 보통의 방법은 먼저 나노선을 기판에 성장한 후 전자빔 미세묘화 공정에 의해 전극을 형성하는 기법을 사용한다 [12]. | |
bottom-up 방식이 제안된 배경은 무엇인가? | 반도체 트랜지스터의 선폭이 수십 나노미터 크기로극 미세화하면서 기존의 CMOS 공정이 더 이상 트랜지스터의 선폭을 줄일 수 없는 한계에 도달한 것으로 예측되고 있다. 이를 극복하기 위해 bottom-up 방식이 제안되었고 이후 활발한 연구가 이루어지고 있다[1]. | |
수직으로 성장된 나노선이 갖는 장점은? | GaN, ZnO는 더욱 활발히 연구된 나노선을 구성하는 물질로써 빛을 발생하는 이점과 기판에 수직으로 성장되는 이점으로 인해 더욱 많은 연구가 이루어졌다 [6,7]. 수직으로 성장된 나노선은 채널, 게이트 산화막, 게이트가 트랜지스터의 미래 구조인 원통형태를 갖게 되는 장점이 있다 [8]. |
W. Lu and C.M. Lieber, NAT MATER. 6, 841 (2007).
A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
X. Duan and C. M. Lieber, Adv. Mater. 12, 298 (2000).
Z. Zhong, F. Qian, D. Wang, and C. M. Lieber, Nano Letters 3, 343 (2003).
D. J. Sirbuly et al., PNAS, 102, 7800 (2005).
W. I. Park, D. H. Kim, S.-W. Jung, and Gyu-Chul Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
Y. Inoue, A. Tajima, A. Ishida, and H. Mimur, Phys. Stat. Sol. (c) 5, 3001 (2006).
T. Bryllert et al., IEEE Elec. Dev. Lett. 27, 323 (2006).
W. I. Park et al., Adv. Mater. 14, 1841 (2002).
G. T. Wang et al., Nanotechnology 17, 5773 (2006).
J. Yoo et al., Appl. Phys. Lett. 89, 043124 (2006).
A. Motayed et al., Appl. Phys. Lett. 90, 043104 (2007).
N. Peyghambarian, S. W. Koch, and A. Mysyrowicz, "Introduction to Semiconductor Optics," (Prentice-Hall, New York, 1993) p. 141
I. Shalish, H. Temkin, and V. Narayanamurti, Phys. Rev. B 69, 245401 (2004).
I. Shalish, et al., Phys. Rev. B 59, 9748 (1999).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.