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PECVD 기법에 의해 제조된 nc-Si : H 박막의 나노 구조적 특성
Nanostructural Features of nc-Si : H Thin Films Prepared by PECVD 원문보기

한국결정학회지 = Korean journal of crystallography, v.14 no.2, 2003년, pp.56 - 61  

심재현 (인하대학교 공과대학 재료공학부) ,  정수진 (서울대학교 공과대학 재료공학부) ,  조남희 (인하대학교 공과대학 재료공학부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Nanocrystalline hydrogenated silicon (nc-Si : H) thin films were deposited at room temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD): a mixture of SiH₄ and H₂ gas was introduced into the evacuated reaction chamber. When the H₂ gas flow rate was low, the density of Si-H₃ bonds was high...

참고문헌 (13)

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  13. Takeoka, S., Fujii, M. and Hayashi, S., Phys. Rev. B, 62, 16820 (2000) 

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