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NTIS 바로가기한국결정학회지 = Korean journal of crystallography, v.14 no.2, 2003년, pp.105 - 109
이태근 (서울산업대학교 신소재공학과) , 최종운 (서울산업대학교 신소재공학과) , 허재근 (서울산업대학교 신소재공학과)
Electrical properties of Ni/Au/p-GaN and optical properties of epitaxial GaN MQW LED on sapphire were characterized. At 20 mA forward bias, GaN MQW emitted in the blue at 470 nm. Current-voltage (I-V) characteristics were decreased linearly with the annealing temperature. The resistivity of Ni/Au co...
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