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문제 정의
- 사용된 장치에도 의존한다. 그래서 우리는 전자 산란의 홉수 계수에 대한 논의를 고체에서 전자의 탄성 산란을 자세히 고려한 후에 논의하기로 한다. 이 단계에서 언급할 일은 식(24)의 효과적인 복소수 포텐샬, u(x, y)는 실수 부 sp(x, y)보다 5에서 50^정도 작다는 것과 그의 효과는 순전히 탄성 산란 경우세 perturbation으로 취급한다는 것을 언급한다.
- X-ray는 물질 내에서 원자핵의 주변에 있는 전자들과만 반옹하는 반면, 전자는 핵과 전자들과 모두 반옹하므로 산란 효과가 X-ray에 비하여 월등히 큼을 알 수 있다. 따라서 X-선의 atomic scattering factor와 전자에 의한 atomic scattering 인자에 대한 도출도 소개된다. 이들 두 소스원에 대한 비교 고찰로 이들에 대한 이해가 한층 더 깊어지길 기대한다.
- 본 회에 있어서는 우리에게 가장 친근한 X-선과 전자선에 대한 발생 기구와 세기에 대한 표현에 대하여 고찰하고 물질 내에서 각 구성 성분과의 반옹을 고찰하고자 한다. X-ray는 물질 내에서 원자핵의 주변에 있는 전자들과만 반옹하는 반면, 전자는 핵과 전자들과 모두 반옹하므로 산란 효과가 X-ray에 비하여 월등히 큼을 알 수 있다.
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