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[국내논문] 전자 조사된 $p^+-n^-$ 접합 다이오드의 결함 특성과 전기적 성질
The defect nature and electrical properties of the electron irradiated $p^+-n^-$ junction diode 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.13 no.1, 2004년, pp.14 - 21  

엄태종 (인하대학교 재료공학부) ,  강승모 (인하대학교 재료공학부) ,  김현우 (인하대학교 재료공학부) ,  조중열 (아주대학교 전자공학과) ,  김계령 (21C 프런티어사업 양성자기반공학기술개발사업단) ,  이종무 (인하대학교 재료공학부)

초록
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오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minority carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다. 스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가될 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전자조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 $p^+- n^-$접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결함은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다. 본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지을 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

It is essential to increase the switching speed of power devices to reduce the energy loss because high frequency is commonly used in power device operation these days. In this work electron irradiation has been conducted to reduce the lifetime of minority carriers and thereby to increase the switch...

Keyword

#전자조사   #에너지 손실   #스위칭 속도   #결함   #minority carrier 수명  

참고문헌 (8)

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