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유기 박막 트랜지스터 (Organic TFT)의 유기 활성층 기술 동향 원문보기

전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.17 no.8, 2004년, pp.3 - 12  

장상웅 (미시간대 화학과) ,  최준환 (고려대 고분자복합재료연구) ,  윤호규 (고려대 재료금속공학) ,  이주원 (경희대 물리학) ,  주병권 (KIST 마이크로시스템 연구센) ,  김재경 (KIST 광전자재료연구센터)

초록

유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin film Transistors ; 이하 OTFT)는 1986년부터(1) 반도체 장치의 새로운 부류로 급속하게 발전해 오고 있다. 반도체 산업에 있어 이러한 유기물질의 큰 발전은 1947년에 있었던 최초의 inorganic FET (Field Effect Transistor) 탄생에 버금갈 만한 성과라고 여겨진다.(중략)

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문제 정의

  • 최근, OTFT는 유기물의 특성을 활용하여 실리콘 반도체로 실현 할 수 없는 새로운 응용분야를 창출 할 것으로 기대되어 활발한 연구가 수행되고 있다. OTFT에서 유기 활성층의 형성 및 그 특성이 소자 전체 성능에 결정적 인 영향을 미치므로 활성층의 성능 향상을 위하여 다양한 방법들을 소개 하였다. 향후 OIFT의 연구는 용액을 사용하는 간단한 공정 에 의해 대 면적화, 전유기화, 그리고 기능성 단분 자화로 각각의 기능을 구현하게 될 것으로 예상된다.

가설 설정

  • A schematic diagram of charge transport model in a OTFT device, (a) Molecular wire model in which molecules span across the drain and source. The main contribution is from intrachain charge transport, (b)π-stacking model in which -stacking direction is parallel to the current direction. The major contribution is through interchain - overlap.
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