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NTIS 바로가기産業技術硏究 : 江原大學校 産業技術硏究所 = Journal of industrial technology, v.24 no.B, 2004년, pp.59 - 64
소명기 (강원대학교 신소재공학과)
GaAs thin films were grown epitaxially by MOCVD method on (001) GaAs substrate. And as a surfactant, Bi(bismuth) thin films were deposited on GaAs buffer layer by using TMBi(trimethylbismuth) source. In-situ reflectance difference spectroscopy(RDS) was used to monitor the surface reconstruction of G...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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GaAs는 어디에 이용되고 있는가? | III-V 화합물 반도체인 GaAs는 직접 밴드갭 (1.43eV)을 나타내므로 오래 전부터 발광다이오드 (LEDs), 마이크로웨이브 소자, 레이저용 소자 등 광전재료로 널리 이용되고 있다. 최근에는 Sb등을*강원대학교 신소재공학과 교수, 공학박사 첨가하여 300GHz fmax를 가지는 고속 HBT (heterojunction bipolar transistor)를 개발하고자 하는 많은 연구가 진행 중에 있다[1]. | |
최근 GaAs표면 연구는 무엇을 이용하여 진행되고 있는가? | (001) GaAs표면은 언급한바와 같이 기술적, 과학적인 이유로 인해 지난 수십 년간 많은 주목을 받아 왔다. 주로 RHEED(reflection high energy electron diffraction)과 같은 전자빔 기술을 이용하였으나 초진공이 요구되는 단점 때문에, 최근에는 Aspnes등[2]에 의해 최초로 시도된 이래 광학적 기술인 RDS(reflectance-difference spectroscopy) 를 이용한 GaAs표면 연구가 많이 진행되고 있다. RDS에 의한 표면분석은 반도체재료 최상부 막의 비등성을 이용한 것이다. | |
300GHz fmax를 가지는 고속 HBT와 같은 초고속 소자가 요구될수록 성장시키는 박막의 표면연구가 보다 중요한 이유는? | 그러나 이와 같은 초고속 소자가 요구될수록 성장시키는 박막의 표면연구가 보다 더 중요하게 된다. 왜냐하면 이때의 전기, 전자적 성질이 ML(mono layer)단위의 표면변화와 밀접한 관계가 있기 때문이다. (001) GaAs표면은 언급한바와 같이 기술적, 과학적인 이유로 인해 지난 수십 년간 많은 주목을 받아 왔다. |
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