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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 백병준 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-05 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900070644 |
과제고유번호 | 1350022437 |
사업명 | 목적기초연구사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 유기금속화학기상법.경계층.박막.열전달.확산.화학종.에피텍시.TMG.반응로.질화갈륨.선구물질.확산계수.반응면.MOCVD.Chemical species.GaN.Precursor.Diffusion Coefficient.Reactor.Epitaxy.Susceptor.Thin film. |
청색 발광다이오드를 제조하기 위하여 통상적으로 수평 및 수직형의 유기금속 화학 기상증착(MOCVD)장치가 사용된다. 본 연구에서는 기존의 수평 및 수직형 반응로의 장점을 선택하여 수평반응로와 같이 층류유동의 구현이 가능하며, 다량의 박막성장 에 의한 생산성 향상 및 양질의 에피텍시 박막을 성장시킬 수 있는 장치를 고안하 고, 그 장치의 형상 및 작동조건을 최적화하기 위한 정량적 분석을 수행한다. 양질의 에피텍시 박막 성장을 위한 중요한 요소 중 하나는 기판 위에서 반응가스의 흐름제어로서 반응가스의 층류유동이 기판과 평행하게 형성되어
Horizontal & vertical type MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition)is used for the fabrication of blue light opto-electronic devices. In this study, the conventional type reactor is modified to produce multi-aperture reactor and high quality epitaxial layers. The quantitative operational condi
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