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[국내논문] Novel properties of erbium-silicided n-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors 원문보기
Journal of semiconductor technology and science, v.4 no.2, 2004년, pp.94 - 99
Jang, Moon-Gyu (Nano-electronic Device Team, Future Technology Research Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Kim, Yark-Yeon (Nano-electronic Device Team, Future Technology Research Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Shin, Jae-Heon (Nano-electronic Device Team, Future Technology Research Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Lee, Seong-Jae (Nano-electronic Device Team, Future Technology Research Division, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Park, Kyoung-Wan (Department of Nano Science and Technology, University of Seoul)
Abstract
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silicided 50-nm-gate-length n-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (SB-MOSFETs) with 5 nm gate oxide thickness are manufactured. The saturation current is
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참고문헌 (15)
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