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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.12 no.7, 2012년, pp.5347 - 5350
Oh, Se-Kyung , Shin, Hong-Sik , Kang, Min-Ho , Lee, Ga-Won , Lee, Hi-Deok
The leakage current mechanism of Palladium (Pd) germanide Schottky contact on n-type Ge-on-Si substrate is analyzed in depth. The electric field dependent analysis shows that the dominant leakage current mechanism is the Poole-Frenkel emission due to the existence of deep level traps in the depletio...
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