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문제 정의
- 3 jUn血의 colloidal silica를 이용하여 이면연마하는 방식이다. 또한 실리콘 '웨이퍼 이면에 발생할 수 있는 기계적 결함 뿐만 아니라 , 그라인딩에 의해 발생할 수 있는 칩 이면의 잔류응력 을 최소화하기 위한 목적으로 강산(HNQ+HF)을 웨이퍼 이면에 0.5l/min.의 속도로 분사시키는 화학적 에칭 공정도 아울러 도입하였다.
- 본 연구는 칩 크랙 발생으로 인한 반도체 조립 제품 의 신뢰성 저하를 예방하기 위해 실리콘 웨이퍼의 이면 연마 공정을 현재 반도체 회사에서 보편적으로 채택하고 있는 그라인딩 (Fig. 1) 이외에 2가지 다른 이면 공정방법을 추가로 채택하였다. 이는 웨이퍼이면 공정으로 인해 칩이면에 발생하는 여러가지 결함발생 (grinding marks 등) 및 그에 따른 칩의 기계적 강도 변화를 평가하기 위한 것이다.
- 1) 이외에 2가지 다른 이면 공정방법을 추가로 채택하였다. 이는 웨이퍼이면 공정으로 인해 칩이면에 발생하는 여러가지 결함발생 (grinding marks 등) 및 그에 따른 칩의 기계적 강도 변화를 평가하기 위한 것이다. 칩의 기계적 강도 평가는 3점 굴곡실험을 통해 실시하였다.
- I) 따라서, 반도체 용량의 증가에 따른 실리콘 칩 면적의 확대와 더블어 보다 얇은 조립제품을 만들어내기 위해서는 칩 자체의 기계적 강도를 높이는 것이 중요하며, 이를 위해 웨이퍼이면 공정을 개선하여 IC 칩 이면에 발생하는 기계적인 결함을 최소화하려는 노력이 필요하다. 이를 위해 본 논문에서는 여러가지 웨이퍼이면 공정기술(그라인딩, 폴리싱, 에칭 등)을 도입하여 칩 크랙 관련 신뢰성 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 방안을 모색하고자 한다.
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