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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.18 no.2, 2005년, pp.120 - 124
강영섭 (한국항공대학교 항공전자공학과) , 안재홍 (한국항공대학교 항공전자공학과) , 김재영 (한국항공대학교 항공전자공학과) , 홍신남 (한국항공대학교 항공전자공학과)
In this work, MOS capacitors were used to study the electrical properties of Mo gate electrode deposited on ZrO
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The National Technology Roadmap for semiconductors, 2003
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