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패드 그루브의 치수가 CMP 연마특성에 미치는 영향
The Effects of Groove Dimensions of Pad on CMP Characteristics 원문보기

大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. A. A, v.29 no.3 = no.234, 2005년, pp.432 - 438  

박기현 (부산대학교 정밀기계공학과) ,  김형재 (부산대학교 정밀기계공학과) ,  최재영 (부산대학교 정밀기계공학과) ,  서헌덕 (부산대학교 정밀기계공학과) ,  정해도 (부산대학교 정밀기계공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

CMP characteristics such as material removal rate and edge effect were measured and investigated in accordance with pad grooving effect, groove width, depth and pitch. GSQ (Groove Stiffness Quotient) and GFQ (Groove Flow Quotient) were proposed to estimate pad grooving characteristics. GSQ is define...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 패드 그루브 설계에 있어 깊이는 제작하는 패드가 동 심원타입이기 때문에 과도한 그루브 치수의 변경 은 연마공정 자체를 불안정한 특성을 보이게 할 여지가 있으므로 최소의 안정한 영역을 선택하였 다. 그루브 깊이는 0.6mm가 현재 상용되고, 이 값 이상으로 그루브 깊이가 증가하면 슬러리 공 급에 문제가 발생할 것으로 보이므로 0.8mm로 가공하여 슬러리 공급이 문제가 되는지 확인하고 자 한다. 또한 그루브 피치는 앞선 기초연구에서 획득한 실험결과를 바탕으로 하고자 한다.
  • 그리고 슬러리가 패드 전면에 걸쳐 균일하게 분 포되고 충분한 슬러리가 웨이퍼의 중심까지 도달 할 수 있도록 이송시켜주는 채널의 역할을 한다. 그리고 패드 표면으로부터 연마 잔류물질을 제거 하기 위한 채널로서의 기능을 하여 결함이 생길 가능성을 감소시켜준다. 또한 슬러리를 보유할 수 있는 저장고의 역할을 하여 패드 표면에서 슬 러리 체류시간을 연장시켜주는 기능도 한다.
  • 따라서 본 연구에서는 CMP와 패드특성과의 관 계를 알기 위하여 그루브의 폭, 깊이, 피치의 변 화가 연마특성에 미치는 영향을 연구하고자 한 다.
  • 8mm로 가공하여 슬러리 공급이 문제가 되는지 확인하고 자 한다. 또한 그루브 피치는 앞선 기초연구에서 획득한 실험결과를 바탕으로 하고자 한다.
  • 본 논문은 패드 그루브의 치수가 CMP 연마결 과에 미치는 영향을 알아보았다. 실험결과와 고 찰을 통해 그루브 치수와 연마특성의 상관관계를 정리하면 다음과 같다.
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참고문헌 (8)

  1. Jeong, H.D., 1997, 'CMP-The Challenge and Opportunities,' p. 72, Semiconductor Monthly 9712, KSME 

  2. Kim, H.J., 2003, 'A Study on the Interfacial Characteristics and Its Effect on Material Removal in CMP,' Ph. D Thesis, PNU, p. 108, 150, 165 

  3. Rodel holdings, Inc. 2001, 'Grooved Polishing Pads for Chemical Mechanical Planarization,' PCT/US01/16870, World Intellectual Property Organization 

  4. Doi, T., Kasai, T. and Nakagawa, T., 1998, '半導體 平坦化 CMP 技術', p. 96-114, Books-Hill Publishing Co., Inc 

  5. Baker, A. Richard, 1996, 'The Origin of the Edge Effect in CMP,' Electrochemical Society Proceeding, Vol. 96-22, p. 229 

  6. Wang, D., Lee, J., Holland, K., Bibby, T., Beaudoin, S. and Cale, T., 1997, 'Von-Mises Stress in Chamical Mechanical Polishing Process,' Journal of Electrochemical Society, Vol. 144(4), p. 1121 

  7. Oliver, M. R., 2003, 'Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials,' Physics and Astronomy, p. 29, 167 

  8. Park, K.H., Jeong, Y.S., Kim, H.J. and Jeong, H.D., 2003, 'The Effect of Groove Density on CMP Characteristics,' KSPE Spring Conference, p. 79 

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