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CMP 패드의 Groove 특성
The Characteristics of CMP Polishing Pad 원문보기

한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17, 2004 Nov. 11, 2004년, pp.715 - 718  

김철복 (동성A&T주식회사) ,  박성우 (대불대학교 전기전자공학과) ,  김상용 ((주)동부 아남 반도체) ,  이우선 (조선대학교 전기공학과) ,  장의구 (중앙대학교 전자전기공학부) ,  서용진 (동성A&T주식회사)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we studied the characteristics of new polishing pad, which can apply W-CMP process for global planarization of multi-level interconnection structure. The hardness and density were measured as a function of groove pattern. Also, we compared the pore size through the SEM photograph. Fin...

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문제 정의

  • 하지만, 현재 반도체 칩 제조라인에서 사용되는 거의 모든 연마 패드는 전량 수입에 의존하고 있어 제품의 국산화가 시급히 필요한 현실이다. 따라서 내구성이 뛰어나고 우수한 연마효율 및 균일도를 나타내는 반도체 소자용 고분자 적층패드 및 groove 형성기술을 개발하기 위해 우레탄 Prepolymer [6], 경화저〕, 기공 형성 조제 및 첨가제 등을 사용하여 연마/평탄화 공정에 주된 역할을 하는 우레탄계 Top pad를 제조함으로써 고분자 적층패드의 조기 사업화를 통해 전량 수입에 의존하고 있는 제품을 국산화하여 자체 수급이 가능하도록 할뿐만 아니라, 본 기술을 통해 습득된 기반기술을 활용하여 관련 산업발전에 기여하고자 한다. 현재 사용 중인 동심원 형상의 연마패드는 평탄화 공정 중에 슬러리가 균일하게 공급되지 못하고, 패드의 회전에 의한 관성 작용에 따라 연마패드의 중앙부보다는 가장자리로 많이 공급되어 슬러리의 유동 및 분포가 불균일한 단점이 있다.
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