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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.19 no.4, 2006년, pp.344 - 349
박치권 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 이원재 (동의대학교 전자세라믹스센터) , (동의대학교 전자세라믹스센터) , 신병철 (동의대학교 전자세라믹스센터)
A sublimation epitaxial method, referred to as the Closed Space Technique (CST) was adopted to produce thick SiC epitaxial layers for power device applications. We aimed to systematically investigate the dependence of SiC epilayer quality and growth rate during the sublimation growth using the CST m...
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