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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.19 no.7, 2006년, pp.673 - 679
김정규 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 견명옥 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 서정두 (동의대학교 신소재공학과) , 안준호 (동의대학교 신소재공학과) , 김정곤 (동의대학교 신소재공학과) , 구갑렬 , 이원재 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 김일수 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 신병철 (동의대학교 전자세라믹스센터)
A sublimation method using the SiC seed crystal and SiC powder as the source material is commonly adopted to grow SiC bulk single crystal. However, it has proved to be difficult to achieve the high quality crystal and the process reliability because SiC single crystal should be grown at very high te...
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방 욱, 김은동, 'SiC 단결정 성장 기술', 전기전자재료학회지, 15권, 6호, p. 3, 2002
삼성전기, '정보.전자.에너지.첨단소재 기술 개발(청색 LD 광원용 GaN 후막단결정 기판개발 및 산업화 기술)', 선도기술개발사업보고서, 2002
R. Weingartner, P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, and A. Winnacker, 'Determination of charge carrier concentration in n- and p-doped SiC based on optical absorption measurements', Appl. Phys. Lett., Vol. 80, Iss. 1, p. 70, 2002
P. J. Wellmann and R. Weingartner, 'Determination of doping levels and their distribution in SiC by optical techniques', Materials Science and Engineering: B, Vol. 102, Iss. 1-3, p. 262, 2003
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