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[국내논문] 나노기공에 의한 박막 내의 기공율과 절연상수의 상관관계
Correlation between the dielectric constant and porosity due to the nano pore in the thin film 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.44 no.3 = no.357, 2007년, pp.1 - 5  

오 데레사 (청주대학교 전자정보공학부)

초록
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SiOC 박막은 산소와 bistrimethylsilylmethane 전구체를 사용하여 CVD방법을 이용하여 만들었다. 유량비에 따라서 유기물, 하이브리드 그리고 무기물 특성의 3가지 특성으로 분류되어지는데 유기물의 특성을 지니는 박막에서 기공이 생성되었다 기공의 생성은 유전상수가 낮아지는 효과가 있으며, 본 연구에서는 기공이 형성되는 유기물 특성의 SiOC 박막내의 기공율을 Maxwell-Garnett 등식을 이용하여 계산하였다. 박막의 기공율은 IR분포에서 blue shift특성을 가지며, 기공율이 증가할수록 유전상수는 감소하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

SiOC films were made using the oxygen and bistrimethylsilylmethane mixed precursor. The chemical properties of SiOC films divided into three properties, organic, hybrid and inorganic depending on the flow rate ratio between oxygen and bistrimethylsilylmethane precursor. The films with organic proper...

주제어

#SiOC 절연막   #절연상수   #기공율   #열처리   #화학적 이동  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 기공의 형성에 의한 유전상수의 상관성에 대하여 연구하였고 Maxwell-Garnett 방정식에 의한 EMS 모델을 적용하여 기공이 형성되는 물질에 대한 일반적인 특성을 검토하였다.
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참고문헌 (10)

  1. M. A. Tamor, C. H. Wu, R. O Carter and N. E. Lindsay, 'Pendant benzene in hydrogenated diamond-link carbon,' Appl. Phys. Lett. vol. 55, no. 14, pp. 1388-1390, 1999 

  2. H. J. Kim, Q. Shao and Y. H. Kim, 'Characterizaion of low-dielectric-constant SiOC thin films deposited by PECVD for interlayer dielectrics of multilevel interconnection,' Surface and Coatings Technology, vol. 171, pp. 39-45, 2003 

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  3. P. Masri, 'Silicon carbide and silicon carbide -based structures,' The physics of epitaxy, Surface science reports, vol. 48, pp. 1-5, 2002 

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  4. A. Grill and D. A. Neumayer, 'Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SIOCH films: Fourier transform infrared spectroscopy characterization,' J. Appl. Phys. vol. 94, pp. 6697-6707, 2003 

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  7. T. Oh, K. M. Lee, S. T. Ko, K. S. Kim, K. J. Ahn and C. K. Choi, ' Bonding Structure of the Cross-link in Organosilicate Films Using O2/BTMSM Precursors,' Jpn. J. Appl. Phys. vol. 42, pp.1517-1520, 2003 

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  8. T. Oh, H. S. Kim, S. B. Oh and M. S. Won, 'The Chemical Shift According To The flow Rate Ratio O2/BTMSM by FTIR and XPS,' Jpn. J. Appl. Phys. vol. 42, pp. 6292-6295, 2003 

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  9. 오데레사 '탄소밀도의 변화가 SiOC 박막의 결합 구조에 미치는 영향,' 대한전자공학회, vol. 43, pp. 322-327, May. 2006 

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  10. J. H. Yun, E. S. Choi, C. M. Jang and C. S. Lee, 'Effect of post-treatments on atomic layer deposition of TiN thin films using tetrakis (dimethylamido) titanium and ammonia,' Jpn. J. Appl. Phys. vol. 41, pp. L418-L421, 2002 

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