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문제 정의
- 이온 주입에 따른 시편의 결함을 줄이기 위하여 이온주입을 하면서 동시에 시편의 온도를 450 ℃ 로유지하였다. 또한 같■은 열처리 조건에서 이온 주입을 하지 않은 GaN 시편을 준비하여 비교를 목적으로 사용하였다.
- 본 논문에서는 이렇게 새로운 분야로 관심을 끌고 있는 Gd을 이온주입법으로 도핑한 GaN 시료의 광학적 특성을 분석하였다. 본 연구에서는 측정한 GaGdN 시료에서는 저온(5 K) 에서 590 nm에서 전이 중심을 갖는 peak를 측정하였으며 이 전이 peak가 온도가 증가함에 따라 청색 편이와 더불어 200 K 가 넘는 고온에서는 전이 강도가 증가하는 비정상적인 광전이 특성을 보임을 발견하였다.
- 그러나 그림 2에 보여 지는 바와 같이 온도가 200 K를 넘어서는 경우 장파장 영역의 전이가 크게 늘어남을 알 수 있다. 이와 같은 장파장 영역에서 온도 증가에 따라 증가하는 경향을 보이는 전이 특성을 더 자세히 알아보기 위하여 우리는 150 line/mm 의 grating을 이용하여 광대역 분광 특성을 조사하였다.
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