초록

표면에 절연막(2a,2c)을 갖는 반도체기판(1)에 불순물을 이온주입할 때 처음에는 절연막의 표면 전위가 반도체기판(1)과의 사이에서 절연파괴 되지 않을 정도의 적은 비임전류(I1)로 이온을 주입하고, 그 후, 그 절연막 표면 전위가 절연파괴 되지 않을 정도의 비임전류(I2,I3)값을 증가시켜서 소정량의 이온을 주입한다. 절연막을 파괴하지 않고 이온주입시간을 단축시키게 되므로 주입량이 10E15~10E16 ions/Cm2이상의 고농도가 되는 MOS트랜지스터의 소오스영역의 형성에 유익하다.

대표청구항

표면에 절연막(2a,2c)을 가진 반도체 기판(1)에 불순물을 이온주입할때, 처음에는 절연막의 표면 전위가 반도체 기판(1)과의 사이에서 절연파괴가 생기지 않을 정도의 적은 비임전류(I1)로 이온주입을하고, 그후 그 절연막 표면 전위가 절연파괴를 이르키지 않을 정도의 비임전류(I2,I3)값을 증가시켜서 소정량의 이온을 주입 함을 특징으로 하는 이온 주입법.

표면에 절연막(2a,2c)을 가진 반도체 기판(1)에 불순물을 이온주입할때, 처음에는 절연막의 표면 전위가 반도체 기판(1)과의 사이에서 절연파괴가 생기지 않을 정도의 적은 비임전류(I1)로 이온주입을하고, 그후 그 절연막 표면 전위가 절연파괴를 이르키지 않을 정도의 비임전류(I2,I3)값을 증가시켜서 소정량의 이온을 주입 함을 특징으로 하는 이온 주입법.