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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.16 no.3, 2007년, pp.210 - 214
We have studied optical transitions of Gd-implanted GaN epilayers. Photoluminescence transition intensity at 590 nm at T=5 K diminishes and its center position moves to short avelength (blue shift) with increasing temperature up to 200 K. Above T=200 K, the transition intensity increases with increa...
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