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오존공정을 이용한 고효율 PR 제거기술 연구
A Study on the High Efficiency PR Strip technology by using the Ozone Process 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.44 no.1 = no.355, 2007년, pp.22 - 27  

손영수 (한국기계연구원 지능형정밀기계연구본부)

초록
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반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photoresist) 제거 공정으로 이용하기 위하여 경계 막 제어에 의한 오존처리공정 및 설비 구현에 대한 연구를 수행하였다. 개발한 초 고농도 오존생성기술과 vapor 발생 방식 경계 막 제어 오존처리공정설비에 의해 실리콘 웨이퍼 PR 제거시험을 수행하였으며 오존가스농도 16wt%, 오존가스 유량 $8[\ell/min]$에서 약 400nm/분의 높은 PR 제거율을 달성하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

we have been studied on the realization of the boundary layer controlled ozone process and related facilities in order to apply for the photo-resist strip process in the semiconductor and flat panel display manufacturing. By means of developing the technology for the high concentration ozone product...

주제어

#Photoresist   #PR Strip Process   #Boundary Layer Control   #Ozone Process   #Vapor Generator  

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • SPM 습식세정용액에 의해 수행되어 온 반도체 노광 공정 후의 포토레지스트 제거공정이 가지고 있는 고비용, 고 에너지 소비 및 비 환경친화적 문제를 해결하기 위한 방법으로서, 초 고농도 오존생성기술을 기반으로 한 경계 막 제어방식 오존처리에 의한 PR 제거공정 및 설비를 개발하여 PR 제거 성능시험을 통하여 본 공정에 의한 PR 제거 효용성과 개발한 공정 설비의 타당성을 확인하였다.
  • 따라서, 본 논문에서는 경계 막 제어 방식 오존 처리공정기술 및 설비의 국내 개발을 위한 연구 일환으로서, 공정 구현을 위한 핵심 요소기술인 초 고농도 오존생성기술과 경계 막 제어에 필요한 공정 설비 개발에 대한 연구를 수행하였다. 이들 요소기술을 연계하여 반도체 웨이퍼를 대상으로 하는 PR 제거시험을 통하여가장 PR 제거효율이 높은 최적 공정 조건을 도출함과 동시에 고효율 PR 제거기술로서 경계 막 제어방식 오존 처리공정의 국내 실용화 개발 타당성 및 효용성을 입증하고자 하였다.
  • 본 연구에서는 외국의 경계 막 제어방식 오존처리 공정 설비에 사용되는 오존 발생 성능인 공정 적용 오존 농도 16wt% 와 대등한 오존생성 특성을 갖는 고농도 오존발생시스템을 구현하기 위한 요소기술 연구를 수행하였다. 이의 일환으로 그림 4와 같이 연면방전(surface discharge)형 수 냉각 구조의 오존방전관을 제안하고 본 구조의 방전관형태에 적합한 전용의 고효율 전원공급 장치를 개발하여 초 고농도의 오존발생 성능을 확인함으로써, 경계 막 제어방식 오존처리공정 적용을 위한 고농도 오존생성관련 핵심 요소기술을 확보하였다.
  • 연구를 수행하였다. 이들 요소기술을 연계하여 반도체 웨이퍼를 대상으로 하는 PR 제거시험을 통하여가장 PR 제거효율이 높은 최적 공정 조건을 도출함과 동시에 고효율 PR 제거기술로서 경계 막 제어방식 오존 처리공정의 국내 실용화 개발 타당성 및 효용성을 입증하고자 하였다.
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참고문헌 (10)

  1. S, Nelson, 'Ozonated Water for Wafer Cleaning and Potoresist Removal', Solid State Technology, July, 1999, pp.107-112 

  2. J. Cheng, D. Nemeth, 'The Study of Temperature Effect in Photoresist Stripping with DIO3 Process', Technical Report, Akrion, Allentown, PA, April 12, 1999 

  3. Bruno Langlais David A,'Ozone in water treatment; application and engineering', American Water Works Association Research Foundation, 1991 

  4. J. K. Tong, et al., in Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing, J.Ruzyllo and R.E. Novak, Editors, PV 92-12, p.18, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1992) 

  5. J. Wei and S. Verhaverbeke, in Cleaning Technology in Semiconductor Device manufacturing V, The Electrochemical Society, Inc., Pennington, NJ, 1998, pp.496-504 

  6. 손영수, 함상용, 문세호,'반도체 웨이퍼의 오존 수세정을 위한 고농도 오존발생장치 특성연구', 대한전기학회논문지 Vol. 52C, No.12, pp.579-586, 2003 

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  7. 채상훈, 손영수 '오존수를 이용한 감광막 제거공정에 관한 연구', 한국전기전자재료학회 논문지 Vol.17, No.11, p.1143-1148, November 2004 

    원문보기 상세보기 crossref

  8. S. De Gendt, J. Wauters adn M. Heyns, A novel photoresist and Post-Etch Residue Removal Process Using Ozonated Chemistry, Solid State Technology, December, 1998, pp.57-60 

  9. Toshikazu Abe, Senji Ojima, et al, 'Photoresist Stripping Using Alkaline Accelerator Containing Wet-Vapor', Solid State Phenomena Vols. 76-77, pp.231-234, 2001 

  10. 손영수, 채상훈 'PR제거공정 적용을 위한 오존 수 생성기술 연구', 대한전자공학회 논문지 Vol.41, SD No.12, p.1107-1114, December 2004 

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