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PR 제거공정 적용을 위한 오존 수 생성기술 연구
A Study on the Ozonized Water Production technology for the PR Strip Process 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.12 = no.330, 2004년, pp.13 - 19  

손영수 (한국기계연구원 첨단산업기술연구부) ,  채상훈 (호서대학교 전자공학과)

초록
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반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photo-resist) 제거 공정으로서 기존의 황산기반 용액을 대체하는 고농도 오존 수 생성 기술에 대한 연구를 수행하였다. 세라믹 연면방전구조의 오존발생장치를 개발하여, 0.5［ℓ/min］의 산소 유량에서 최대 12［wt%］이상의 오존가스 농도를 얻었으며, 이를 고농도로 물과 혼합하기 위한 고효율 오존접촉장치를 개발하였다. 오존 수 생성 실험 결과, 오존가스 10［wt%］에서 80［ppm］이상의 오존 수 농도를 달성하였으며, 70［ppm］의 오존 수에서 PR 제거율 147［nm/min］의 양호한 결과를 얻었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have been studied on the high concentration ozonized water production technology which substitute for the SPM wet cleaning solution process as the PR strip process after the photolithography process in the semiconductor and flat panel display manufacturing. In this work, we have developed the sur...

주제어

#wet cleaning process   #PR strip   #ozone cell   #surface discharge   #ozonized water   #ozone contactor  

참고문헌 (11)

  1. W. Kern, Handbook of Semiconductor wafer Cleaning Technology, Noyes Publications, West wood, NJ, pp.383-391, 1993 

  2. J. K. Tong, et al., Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing, J.Ruzyllo and R.E. Novak, Editors, PV 92-12, p.18, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ, 1992 

  3. J. Wei and S. Verhaverbeke, Cleaning Technology in Semiconductor Device manu-facturing V, The Electrochemical Society, Inc.,Pennington, NJ, pp.496-504. 1998 

  4. S, Nelson, 'Ozonated Water for Wafer Cleaning and Potoresist Removal', Solid State Technology, pp.107-112, July 1999 

  5. J. Cheng, D. Nemeth, 'The Study of Tempera-ture Effect in Photoresist Stripping with DIO3 Process', Technical Report, Akrion, Allentown, PA, April 1999 

  6. Bruno Langlais David A,'Ozone in water treat-ment; application and engineering', American Water Works Association Research Foundation, 1991 

  7. S.De Gendt, J. Wauters adn M. Heyns, A novel photoresist and Post-Etch Residue Removal Process Using Ozonated Chemistry, Solid State Technoloty, December, pp.57-60, 1999 

  8. 박진구, '환경친화적 일조형 웨이퍼 세정기술 보급', 청정생산기술 이전확산사업 보고서, 2003년 2월 

  9. 차성일, '오존발생기 성능시험방법 표준화', 산업기반 기술 표준화연구사업 보고서, 2002년 

  10. 이형호, 조국희, '유전체 장벽 방전 내에서 오존발생 특성',대한전기학회 논문지 제49권 C편, 제12호, 673-678쪽, 2000년 

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  11. 손영수, 함상용, 문세호, '반도체 웨이퍼의 오존수 세정을 위한 고농도 오존발생장치 특성연구', 대한전기학회 논문지 제52권 C편, 제12호, 579-586쪽, 2003년 

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