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[국내논문] 반도체 생산공정의 대기질 개선을 위한 복합 대기오염물의 습식화학 제거공정
Wet Chemical Process for Improving Air Quality in Semiconductor Manufacturing Process 원문보기

청정기술 = Clean technology, v.13 no.2 = no.37, 2007년, pp.109 - 114  

전창성 (고려대학교 화공생명공학과) ,  김학주 (고려대학교 화공생명공학과) ,  박영무 (고려대학교 화공생명공학과) ,  이대원 (고려대학교 청정화공연구소) ,  함동석 (삼성전자주식회사) ,  전상문 (삼성전자주식회사) ,  이관영 (고려대학교 화공생명공학과)

초록
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본 연구에서는 반도체 제조공정 내의 습식 대기공조 정화설비에 사용될 화학수용액의 선정과 이를 이용한 대기오염물 정화 모사시험을 수행하였다. 50 ppm의 $NH_3$, SOx, NOx의 제거에 있어서 0.5 M의 이산화망간($KMnO_4$) 수용액은 99% 이상의 제거율을 보였다. $O_3$의 제거율은 $22{\sim}30%$ 수준에서 머물러, 별도의 건식 제거 장치가 필요한 것으로 판단된다. 또한 모든 화학수용액들에 있어 NOx의 제거효율은 $O_3$가 공존할 경우, $NO_2$ 농도 증가로 인해 보다 증가될 수 있었다. 마지막으로 액상분사 시스템을 구성하여 화학수용액들이 공기압 분사식 노즐을 통해 $60\;{\mu}m$ 수준의 미세 액적 형태로 분사됨에 따라, 기-액상간의 반응면적이 증가되어 기상 오염물의 제거효율이 보다 향상될 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we performed basic researches to develop wet purification system for improving air qualities of ventilation in semiconductor manufacturing process. Using 0.5 M aqueous solution of $KMnO_4$, 50 ppm of $NH_3$, SOx and NOx were reduced to 99% successfully. However, ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 복합오염원들을 동시에 제거하기 위한 습식제거 시스템의 기초시험을 주요 내용으로 한다. 90% 이상 만족할 만한 수준의 복합 오염물 제거효율을 보이는 화학수용액을 선정하고, 해당 수용액을 이용해 효과적인 기-액 접촉 환경을 조성함으로써 제거효율을 개선하고자 하였다. 기초실험을 통해 선정된 화학수용액을 중심으로 실제 기-액 반응장치인 수용액 분사 시스템(Water Spraying System)을 구성하였고, 수용액의 오염물 제거 효율에 큰 영향을 미치는 수용액 분사 노즐의 선정을 주요 실험으로 수행하였다.
  • 본 연구에서는 50ppm 이하의 SOx, NOx, O3, NH3 복합오염원들을 동시에 제거하기 위한 습식제거 시스템의 기초시험을 주요 내용으로 한다. 90% 이상 만족할 만한 수준의 복합 오염물 제거효율을 보이는 화학수용액을 선정하고, 해당 수용액을 이용해 효과적인 기-액 접촉 환경을 조성함으로써 제거효율을 개선하고자 하였다.
  • 본 연구에서는 반도체생산공정으로 유입되어 여러 가지 문제를 야기하는 복합대기 오염원(NH3, NOx, SOx, O3)을 효율적으로 제거할 수 있는 수용액 분사시스템의 개발 시험을 수행하였다.
  • 수용액 분사시스템 모사실험에 앞서 사용할 노즐을 선정하기 위하여 노즐분사에 따른 물 입자의 크기를 알아보고자 하였다. 입자의 크기가 작고 고르며 넓은 분사각을 갖는 노즐을 선정하고자 풀콘방식(Full cone type, 1/4G-SS, Spraying System Co.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체 제조환경에 큰 영향을 미치는 오염원은? 특히 갈수록 심각해지는 대기환경 오염으로 인해 외부로부터 유입되는 공기에 포함되어 있거나 반도체 제조공정에서 배출되는 복수의 기상오염원들을 제거하는 기술의 중요성이 더욱 높아지고 있다. 이러한 오염원 중에서 SOx, NOx, O3, NH3 등이 반도체 제조환경에 큰 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 한편 대기 관련 후처리 기술 분야에서 SOx와 NOx에 대한 처리 기술과 관련하여 많은 선행 연구들이 있어 왔는데, 습건식 배연 탈황 공정 기술[1~3]과 선택적 촉매 환원법 (Selective Catalytic Reduction)에 의한 탈질 반응 기술[1,4,5]을 예로 들 수 있다.
NOx, O3, VOC 등은 습식오염 제거방법 사용시, 몇퍼센트의 제거율을 보이는가? 습식오염 제거방법에 있어서 NH3와 SOx는 일반적인 수세공정(Water Scrubbing) 만으로도 70% 정도 제거할 수 있는 것으로 알려져 있다. 하지만 물에 대한 용해도가 낮은 NOx, O3, VOC 등은 10% 이하의 제거율 밖에 보이지 않기 때문에 제거율을 상승시키기 위해서는 별도의 화학수용액들을 이용해야 한다.
습건식 배연 탈황 공정 기술[1~3]과 선택적 촉매 환원법 (Selective Catalytic Reduction)에 의한 탈질 반응 기술들의 단점은? 한편 대기 관련 후처리 기술 분야에서 SOx와 NOx에 대한 처리 기술과 관련하여 많은 선행 연구들이 있어 왔는데, 습건식 배연 탈황 공정 기술[1~3]과 선택적 촉매 환원법 (Selective Catalytic Reduction)에 의한 탈질 반응 기술[1,4,5]을 예로 들 수 있다. 이러한 기술들은 해당 오염물의 제거효율이 높고 2차 오염물을 최소화할 수 있는 장점이 있으나, 적용 조건이 제한적이고 SOx, NOx, O3, NH3 등을 동시에 제거하기 위한 각 기술들의 복합화가 기술적, 경제적인 측면에서 어렵다는 단점이 존재한다. 이러한 이유로 인해 반도체 제조 환경에서 대기오염 제어는 주로 건식 화학필터에 의한 흡착법에 주로 의존해왔으나, 이는 필터의 사용수명이 상대적으로 짧고 공정의 초기 투자비와 유지비용이 크게 소요된다는 단점을 가지고 있다.
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