선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
제안 방법
- 25um 1-poly, 5-metal CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정 장비는 Agilent사의 8510C Vector Network Analyzer, RF Probe, Bias Probe, Bias Tee, Micro wave Probe Station, Power supply-S- 사용하였다. 나선형 인덕터의 Q값을 해석하기 위하여 NPGS와 PGS 두 부분으로 나누어 레이아웃하였으며, 인덕터 턴 수의 영향을 분석하기 위해 L5턴, 2.5 턴, 3.5턴, 4.5턴, 5.5턴 수의 인덕터를 on-chip화하여 제작하였다. 그림 6(a)와 그림 6(b)는 나선형 인덕터 칩 래이아웃과 실제 제작된 나선형 인덕터 이고, 칩 크기는 가로 1mm 세로 1mm 이다.
- 본 논문에서는 이 맴돌이 전류의 효과를 없애기 위해서 그림 2와 같이 PGS (patterned ground shield) 구조를 이용하였다. 그림 2(a)에 인덕터 전류 방향과 맴돌이 전류의 방향을 나타내었다[3][4].
- 모델링 하였다. 전자장 해석을 위하여 실리콘 기판 및 인덕터 도체의 정확한 재질 값을 정의하였으며, 측정과 비교하기 위해 50Q 포트를 정의하였다. 표 1은 나선형 인덕터의 등가회로상의 각 소자 들의 기본 값과 변화 범위를 나타내었다.
대상 데이터
- 비교 검증 하였다. 나선형 인덕터는 Hynix사의 0.25um 1-poly, 5-metal CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정 장비는 Agilent사의 8510C Vector Network Analyzer, RF Probe, Bias Probe, Bias Tee, Micro wave Probe Station, Power supply-S- 사용하였다. 나선형 인덕터의 Q값을 해석하기 위하여 NPGS와 PGS 두 부분으로 나누어 레이아웃하였으며, 인덕터 턴 수의 영향을 분석하기 위해 L5턴, 2.
데이터처리
- 3-D field 해석을 통한 시뮬레이션 값을 통해 각각 실험하여 비교 검증 하였다. 나선형 인덕터는 Hynix사의 0.
- 인덕터 등가회로에서 각 성분들의 값들을 변화시켜 그 결과 값을 시뮬레이션으로 구하고, on-chip 나선형 인덕터를 그림 3과 같이 3-D 전자장 해석 툴인 HFSS를 이용하여 각각 모델링 하였다. 전자장 해석을 위하여 실리콘 기판 및 인덕터 도체의 정확한 재질 값을 정의하였으며, 측정과 비교하기 위해 50Q 포트를 정의하였다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.