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Ultrathin-body SOI MOSFETs에서 면방향에 따른 정공의 이동도 증가
Hole Mobility Enhancement in (100)- and (110)-surface of Ultrathin-body(UTB) Silicon-on-insulator(SOI) Metal Oxide Semiconductors Field Effect Transistor 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.11, 2007년, pp.939 - 942  

김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ,  조원주 (광운대학교 전자재료공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the characteristics of UTB-SOI pMOSFETs with SOI thickness($T_{SOI}$) ranging from 10 nm to 1 nm and evaluated the dependence of electrical characteristics on the silicon surface orientation. As a result, it is found that the subthreshold characteristics of (100)-surface U...

주제어

#Ultrathin-body   #SOI   #Hole mobility enhancement   #Quantum confinement effect  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서, 본 논문에서는 1-10 nm의 채널 두깨를가지는 UTB-SOI pMOSFET를 제작하여 채널의두께에 따른 이동도의 변화를 살펴보았으며, (100) 와 (110)의 면 방향에 따른 소자의 전기적 특성 변화에 대해서 연구하였다.
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참고문헌 (8)

  1. S. Tagaki, J. Koga, and A. Toriumi, 'Mobility enhancement of SOI MOSFETs due to subband modulation in ultrathin SOI films', Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, p. 1289, 1998 

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  2. K. Uchida, H. Watanabe, K. Koga, A. Kinishita, and S. Takagi, 'Experimental Study on Carrier Transport Mechanism in Ultrathinbody SOI MOSFETs', SISPAD, p. 8, 2003 

  3. J. Welser, J. L. Hoyt, S. Takagi, and J. F. Gibbons, 'Strain Dependence of the Performance Enhancement in Strained-Si n-MOSFETs', IEDM, p. 373, 1994 

  4. S. Tagaki, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Nakaharai, T. Numata, J. Koga, and K. Uchida, 'Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels', Solid-State Electronics, Vol. 49, p. 684, 2005 

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  5. G. Tsutusi, M. Saitoh, and T. Hiramoto, 'Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs', IEEE Electron Device Letters, Vol. 26, No. 11, p. 836, 2005 

    상세보기 crossref

  6. H. Nakamura, T. Ezaki, T. Iwamoto, M. Togo, T. lkezawa, N. lkarashi, M. Hane, and T. Yamamoto, 'Effects of selecting channel direction in improving performance of sub-100 nm MOSFETs fabricated on (110) surface si substrate', JJAP, Vol. 43, No. 4B, p. 1723, 2004 

  7. H. Shang, J. Rubino, B. Doris, A. Topol, J. Cai, L. Chang, J. A. Ott, J. Kedzierski, K. Chan, L. Shi, K. Babich, J. Newbury, E. Sikorski, B. N. To, Y. Zhang, K. W. Guarini, and M. leong, 'Mobility and CMOS Device/Circuits on sub-10 nm Ultra Thin Body SOI', Symposium on VLSI Technology Digest, p. 78, 2005 

  8. P. Balk, 'The Si- $SiO_{2}$ System', Elsevier, p 234, 1988 

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