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NTIS 바로가기한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.12 no.9, 2008년, pp.1599 - 1604
In this paper, it has been analyzed how transport characteristics is influenced on gate oxide properties in the subthreshold region as nano structure FinFET is fabricated. The analytical model is used to derive transport model, and Possion equation is used to obtain analytical model. The thermionic ...
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D.S.Havaldar, G.Katti, N.DasGupta and A.DasGupta, "Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, no.4, 2006
G.Katti, N.DasGupta and A.DasGupta, "Threshold Voltage Model for Mesa-Isolated Small Geometry Fully Depleted SOI MOSFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no.7, 2004
H.K.Jung and S.Dimitrijev, "Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate Double Gate MOSFET," IEEE Trans. Electron Devicesm, vol. 53, no.4, pp.685-691, 2006
Q.Chen, B.Agrawal, J.D.Mein이, "A Compre -hensive Analytical Subthreshold Swing(S) Model for Double-Gate MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 49, no.6, pp.1086-1090, 2002
D.Munteanu and J.L.Autran,"Two-dimensional modeling of quantum ballistic transport in ultimate double-gate SOI devices," Solid-State Electronics, vol.47, pp.1219-1225, 2003
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