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NTIS 바로가기한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.12 no.10, 2008년, pp.1840 - 1844
In this paper, the influence of channel doping concentration, which the most important factor is as double gate MOSFET is fabricated, on transport characteristics has been analyzed in the subthreshold region. The analytical model is used to derive transport model based on Poisson equation. The therm...
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D.S.Havaldar, G.Katti, N.DasGupta and A.DasGupta, "Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, no.4, 2006
G.Katti, N.DasGupta and A.DasGupta, "Threshold Voltage Model for Mesa-Isolated Small Geometry Fully Depleted SOI MOSFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no.7, 2004
Q.Chen, E.M.Harrell and J.D.Meindl,"A Physical Short-Channel Threshold Voltage Model for Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, no.7, 2003
F.L.Yang, H.Y.Chen, C.C.Huang, C.Y.Chang, H.K. Chiy, C.C.Lee et al. "25nm CMOS Omega FETs, "IEDM, pp.255-258, 2002
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H. K. Jung and S. Dimitrijev,"Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate Double Gate MOSFET, "IEEE Trans. Electron Devicesm, vol. 53, no.4, pp.685-691, 2006
D.Munteanu and J.L.Autran, "Two-dimensional modeling of quantum ballistic transport in ultimate double-gate SOI devices," Solid-State Electronics, vol.47, pp.1219-1225, 2003
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