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Microstructural evolution and the intermetallic compound (IMC) growth kinetics in an Au stud bump were studied via isothermal aging at 120, 150, and $180^{\circ}C$ for 300hrs. The $AlAu_4$ phase was observed in an Al pad/Au stud interface, and its thickness was kept constant du...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 시효처리에 따른 Au stud/Sn 범프 내의 계면 미세구조 변화와 금속간화합물의 성장거동에 대한 연구를 수행하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
플립칩 패키징 기술은 솔더 범프의 본딩을 위해 무엇이 요구되는가? 최근 전자기기의 고성능화와 소형화의 추세에 따라 반도체 소자의 접촉 패드와 패키지 기판을 솔더 범프를 이용하여 직접 연결함으로써 신호지연의 감소로 인한 고성능화와 패키지의 면적 감소로 인한 소형화를 이룰 수 있는 플립칩 패키징 기술이 널리 사용되고 있다.1) 하지만 이러한 플립칩 패키징 기술은 솔더 범프의 본딩을 위해 패드에 금속하부층(under bump metallurgy, UBM)의 형성이 요구되며 이를 위해서는 고가의 장비와 높은 공정 비용을 필요로 한다. 따라서 기존의 와이어 본딩 기술을 응용한 stud 범프 본딩 기술이 저가의 플립칩 패키징 기술의 대안으로 주목받고 있다.
Stud 범프 본딩 기술의 장점은? 따라서 기존의 와이어 본딩 기술을 응용한 stud 범프 본딩 기술이 저가의 플립칩 패키징 기술의 대안으로 주목받고 있다. Stud 범프 본딩 기술은 미세 피치(pitch)를 적용할 수 있을 뿐만 아니라 UBM 형성 공정이 불필요하게 되어 공정비용을 줄일 수 있는 장점이 있다.2) Stud 범프 본딩의 재료로는 주로 Au가 사용되고 있으며, 솔더 재료로는 Pb에 대한 사용규제로 인해 Pb를 포함하지 않는 무연 솔더가 많이 사용되고 있는 추세이다.
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참고문헌 (12)

  1. International Technology Roadmap for Semiconductors 1999 Edition, 'Assembly & Packaging', http://www.itrs.net/Links/2000UpdateFinal/AssemblyPkg2000final.pdf, updated 14 January 2008 

  2. M. S. Shin and Y. H. Kim, J. Electron. Mater., 32(12), 1448 (2003) 

  3. T. K. Lee, S. Zhang, C. C. Wong, A. C. Tan and D.Hadikusuma, Thin Solid Films, 504, 441 (2006) 

  4. P. G. Kim and K. N. Tu, Mater. Chem. Phys., 53(2), 165-171, (1998) 

  5. T. K. Lee, S. Zhang, C. C. Wong and A. C. Tan, Mater.Sci., Eng. A427, 136 (2006) 

  6. Y. Tian and C. Wang, Mater. Sci. Eng., B95, 254 (2002) 

  7. M. Schaefer R, A. Fournelle and J. Liang, J. Electron.Mater., 27, 1167, (1998) 

  8. E. Imasato, M. Araki, I. Shimizu and Y. Ohno, in Proceedings of Znd Electron. Packag. Technol. conf., 338 (1998) 

  9. K. N. Tu and R. D. Thompson, Acta metall., 30, 947-952, (1982) 

  10. Y. C. Chan, A. lex C. K. So and J. K. L. Lai, Mater. Sci. Eng., B55, 5 (1998) 

  11. C. M. Tsai, W. C. Luo, C. W. Chang, Y. C. Shieh and C.R. Kao, J. Electron. Mater., 33(12), 1424 (2004) 

  12. J. W. Yoon and S. B. Jung, J. Mater. Sci., 39, 4211, (2004) 

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