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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.18 no.5, 2008년, pp.272 - 276
In submicron MOSFET devices, maintaining the ratio between the channel length (L) and the channel depth (D) at 3 : 1 or larger is known to be critical in preventing deleterious short-channel effects. In this study, n-type SOI-MOSFETs with a channel length of
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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MOSFET 소자의 구조적, 재료적 한계를 2차원적인 스케일링에서 극복할 수 있는 기술은 무엇인가? | MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor) 소자의 소형화, 고집적화에 따른 2차원적인 스케일링(scaling)은 단채널효과(short-channel effect)를 극복하는데 요구되는 낮은 접합깊이(junction depth), 높은 채널도핑(channel doping) 등과 관련된 구조적, 재료적 한계에 부딪히게 되었다. 2차원적인 스케일링에서 이러한한계를 극복할 수 있는 기술이 바로 SOI-MOSFET (SiliconOn-Insulator MOSFET)이다. SOI-MOSFET은 실리콘(Si)기판(substrate)과 소자의 활성영역(active region) 사이에 Si산화물인 BOX (Buried OXide)가 존재하는 것이 형태상의 큰 특징인데, 이러한 SOI-MOSFET을 사용함으로서얻을 수 있는 장점은 여러 가지가 있다. | |
SOI-MOSFET의 가장 큰 형태상의 특징은? | 2차원적인 스케일링에서 이러한한계를 극복할 수 있는 기술이 바로 SOI-MOSFET (SiliconOn-Insulator MOSFET)이다. SOI-MOSFET은 실리콘(Si)기판(substrate)과 소자의 활성영역(active region) 사이에 Si산화물인 BOX (Buried OXide)가 존재하는 것이 형태상의 큰 특징인데, 이러한 SOI-MOSFET을 사용함으로서얻을 수 있는 장점은 여러 가지가 있다. | |
SiliconOn-Insulator MOSFET을 사용함으로서 얻을 수 있는 장점은 어떤 것들이 있는가? | 우선 CMOS(Complementary MOS) 회로의 제작공정이단순하고, 초고집적화가 가능하다. 이것은 Bulk MOSFET를 사용한 CMOS 회로 제작에 있어서 p-MOSFET 형성 시n-well을 형성해야 하고, 소자 간 격리를 위해 트렌치 공법을 사용해야 하나 SOI-MOSFET에서는 이러한 과정이필요 없기 때문이다. 또한 Bulk MOSFET 공정에서는 접합깊이를 줄이는데 한계가 있어 집적도를 더 이상 높이기 어려운 반면 SOI-MOSFET 공정에서는 채널깊이, 즉BOX 위에 있는 Si 필름의 두께를 자유로이 줄일 수 있고, 이와 비례하여 채널길이 또한 줄일 수 있으므로 추가적인 집적화가 가능하다. 아울러 Bulk MOSFET에 비해 소비전력을 줄일 수 있다. 회로 내에서 전력 소모는 아래의 식(1)과 같이 표현이 가능한데 |
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