선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- 또한 본 논문에서는 바이어스 조건과 와이어 본딩 방식에 따른 성능에 대하여도 고찰한다.
- 또한 예로서 36mm 고출력 질화갈륨 소자에 대하여 몇 가지 방법으로 설계해 보고, 각 설계 방법에 따른 성능과 IMD3 특성을 비교하여, 설계시 최적의 특성을 보이도록 설계하는 과정에 대하여 살펴보았다. 또한 36mm 질화갈륨 소자의 비선형 모델을 이용하여 load-p니1, source-pull 시뮬레이션을 하여 설계 과정에 필요한 검증을 실시하고, 어떤 조건일 때 더 우수한 특성을 얻을 수 있는지를 확인하였다
- 본 논문에서는 질화갈륨 고출력 트랜지스터 다이를 이용하여 고출력 패키지 내부 정합회로를 설계할 때, 각 정합 소자의 변화에 따른 특성변화와 성능 개선에 대하여 고찰하였다. 또한 예로서 36mm 고출력 질화갈륨 소자에 대하여 몇 가지 방법으로 설계해 보고, 각 설계 방법에 따른 성능과 IMD3 특성을 비교하여, 설계시 최적의 특성을 보이도록 설계하는 과정에 대하여 살펴보았다.
- 본 논문에서는 최근 활발하게 연구되고 있는 새로운 반도체 소자인 질화갈륨(GaN, gallium nitride) 고출력 트랜지스터 소자의 특성과, 정합회로에 사용되는 칩 커패시터 및 와이어 본딩 특성 분석을 통하여, 여러가지 최적화된 성능에 적합한 내부 정합회로를 설계하고 그에 따른 고출력 패키지 성능에 대하여 기술하였다[4-6]. 또한 본 논문에서는 바이어스 조건과 와이어 본딩 방식에 따른 성능에 대하여도 고찰한다.
- 이제 커패시터 변화에 따른 고출력 특성 변화를 살펴보겠다. 그림 7은 설계된 고출력 패키지에서 커패시터에 따른 출력 특성의 변화를 알아보기 위하여 그림 5에서 C_1 과 C_2로 명명된 커패시터의 값을 변화시키며 그에 따른 출력 특성의 변화를 나타낸 것이다.
- 이제 트랜지스터 다이와 커패시터를 상호 DC 적으로 연결하고 RF적으로 정합시켜주는 소자인 와이어에 대하여 살펴보겠다. 모든 와이어는 기본적으로 인덕턴스를 가지고 있으므로 인덕터 소자가 되어 커패시터와 함께 정합회로의 중요한 부분을 이룬다.
가설 설정
- 이 두 그림으로부터 고출력 트랜지스터 다이의 게이트 단의 첫 번째 커패시터 (C_l)가 출력 특성에 더 큰 영향을 끼친다는 것을 알 수 있다. 그러나 그림 7(b)에서도 유용한 정보를 얻을 수 있는데, 그것은 C-2의 변호에 따른 성능 변화의 정도가 더 적다는 것이다. 즉, C_2 값의 변화에 따른 성능변화가 균일하게 변하기 때문에 변화를 유추하는 데에는 유용하게 쓰일 수 있음을 알 수 있다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.