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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.9, 2008년, pp.795 - 800
손창현 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 최정우 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 이기섭 (동의대학교 나노공학부) , 황현희 (동의대학교 나노공학부) , 최종문 (동의대학교 나노공학부) , 구갑렬 , 이원재 (동의대학교 전자세라믹스센터) , 신병철 (동의대학교 전자세라믹스센터)
A sublimation method using the SiC seed crystal and SiC powder as the source material is commonly adopted to grow SiC bulk single crystal. However, it has proved to be difficult to achieve the high quality crystal and the process reliability because SiC single crystal should be grown at very high te...
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J. C. Zolper and M. Skowronski, "Advances in silicon carbide electronics", MRS Bulletin, Vol. 30, p. 273, 2005
Z. Herro, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, P. Masri, and A. Winnacker, "Effective increase of single-crystalline yield during PVT growth of SiC by tailoring of radial temperature gradient", Mater. Sci. Forum., Vol. 433-436, p. 67, 2003
Y. Kitou, W. Bahng, T. Kato, S. Nishizawa, and K. Arai, "Flux-controlled sublimation growth by an inner guide-tube", Mater. Sci. Forum., Vol. 389-393, p. 83, 2002
Yu. M. Tairov, "Growth of bulk SiC", Materials Science and Engineering B29, p. 83, 1995
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