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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.10, 2008년, pp.885 - 888
정강민 (고려대학교 전자전기공학과) , 이영수 (고려대학교 전자전기공학과) , 김수진 (고려대학교 전자전기공학과) , 김동호 (고려대학교 전자전기공학과) , 김재무 (고려대학교 전자전기공학과) , 최홍구 (전자부품연구원 나노바이오 의료기기 연구센터) , 한철구 (전자부품연구원 나노바이오 의료기기 연구센터) , 김태근 (고려대학교 전자전기공학과)
We present simulation results on DC characteristics of AlGaN/GaN HEMTs having trench shaped source/drain Ohmic electrodes. In order to reduce the contact resistance in the source and drain region of the conventional AlGaN/GaN HEMTs and thereby to increase their DC output power, we applied narrow-sha...
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