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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.41 no.5, 2008년, pp.189 - 193
우종창 (중앙대학교 전자전기공학부) , 엄두승 (중앙대학교 전자전기공학부) , 김관하 (중앙대학교 전자전기공학부) , 김동표 (중앙대학교 전자전기공학부) , 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, selectivity to
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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메모리 소자 크기의 축소는 어떤 문제를 발생시키는가? | 또한 메모리 소자의 트랜지스터의 크기는 메모리 소자의 속도를 향상 시키고, 전력소모를 감소시키기 위하여 급속히 작아지고 있다. 그러나 메모리 소자 크기의 축소는 Silicon Oxide에서의 누설 전류의 증가로 인하여 수반되는 메모리 소자의 열 발생 증가와 게이트에서의 저 전도성 문제를 발생 시킨다1-3). 또한 VLSI 용 Packaging와 Silicon Oxide을 비롯한 커패시터의 절연막 두께 역시 엷게 되어 가고 있다. | |
소자의 소형화에 따른 문제점이 심각하게 노출된 배경은? | 현재까지 CMOS 소자의 크기가 80 nm 이하로 감소하면서 짧은 채널효과(short-channel effect)와 같은 소자의 소형화에 따른 문제점이 점점 심각하게 노출되기 시작하였으며, 종래에 사용되어온 소자구조 및 제작 기술만으로는 집적도나 소자 동작 특성 개선에 있어 한계에 부딪치게 되었다. 또한 메모리 소자의 트랜지스터의 크기는 메모리 소자의 속도를 향상 시키고, 전력소모를 감소시키기 위하여 급속히 작아지고 있다. | |
CH4와 Ar이 혼합된 플라즈마에서 높은 식각 속도를 얻을 수 있었던 이유는 무엇인가? | TiN의 식각 속도가 Ar = 100% 조건 보다 CH4 = 100% 조건에서 높게 나타나고 있으며, CH4와 Ar이 혼합된 플라즈마에서 두 조건보다 높은 식각 속도를 얻을 수 있었다. 이는 CH4/Ar 플라즈마에서의 TiN의 식각이 Ar 이온의 의한 물리적 식각과 CH 또는 H 라디칼이 TiN과 표면에서 반응하여 형성하는 TiH2(녹는점: 450℃) 또는 Tix(CH)y 형성을 통한 화학적 식각의 도움에 의한 것으로 사료된다. 그림 2에서 CH4의 첨가비가 증가함에 따라서 전자와 여기된 Ar 이온이 CH4 기체 분자와 충돌 하여, CH 라디칼과 H와 C 원자로 해리되어, CH와 H의 상대적 부피 밀도가 증할 것으로 예측된다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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