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NTIS 바로가기ETRI journal, v.30 no.6, 2008년, pp.790 - 798
Park, Kwang-Hee (Department of Electronic Engineering, Inha University) , Yang, Jun-Sik (Department of Electronic Engineering, Inha University) , Chang, Joon-Hyuk (Department of Electronic Engineering, Inha University) , Kim, Deok-Hwan (Department of Electronic Engineering, Inha University)
Recently, NAND flash memory has emerged as a next generation storage device because it has several advantages, such as low power consumption, shock resistance, and so on. However, it is necessary to use a flash translation layer (FTL) to intermediate between NAND flash memory and conventional file s...
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