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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.18 no.3, 2009년, pp.176 - 185
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The realization and the performance of ICP source are strongly affected by its electrical impedance and the electric/magnetic field distribution. The ICP source impedance is determined by the antenna impedance and the plasma one. It is preferred to keep the imaginary impedance between -100 ohm to 10...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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| ICP는 CCP에 비해 10배 이상의 고밀도 플라즈마를 발생시키며 CCP에 비해 상대적으로 높은 전자온도를 유지하는 특성으로 인해 어떤 특성을 갖는가? | 일반적으로 ICP는 CCP에 비해 10배 이상의 고밀도 플라즈마를 발생시키며 CCP에 비해 상대적으로 높은 전자온도를 유지한다. 이러한 특성으로 인해 기체 해리율이 높아 중성 활성종과 이온 밀도가 높은 특성을 갖는다 [1]. | |
| ICP source의 성능과 구현 가능성에 큰 영향을 주는 것은 무엇인가? | ICP source의 성능과 구현 가능성은 impedance와 전기장, 자기장의 공간 분포에 큰 영향을 받는다. ICP source의 impedance는 ICP 안테나와 플라즈마의 impedance에 의해 결정된다. | |
| ICP source의 impedance는 무엇에 의해 결정되는가? | ICP source의 성능과 구현 가능성은 impedance와 전기장, 자기장의 공간 분포에 큰 영향을 받는다. ICP source의 impedance는 ICP 안테나와 플라즈마의 impedance에 의해 결정된다. 안테나 설계에 있어서 안테나에 형성되는 고전압을 방지하고 공정 중 급격한 impedance 변화를 방지하기 위해서는 ICP source의 허수 impedance가 $-100\;ohm{\sim}+100\;ohm$의 영역에 존재하는 것이 유리하다. |
Y. Hikosaka, M. Nakamura, and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2157 (1994)
M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of plasma discharges and materials processing (John Wiley & Sons, Inc, 1994), pp. 392-394
R. Ludwig and P. Bretchko, RF Circuit Design (Prentice-Hall, 2000), pp. 89-91
M. H. Khater and L. J. Overzet, J. Vac. Sci. Technol. A19(3), 785 (2001)
H. Sugai, K. Nakamura, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 33 2189 (1994)
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