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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.9, 2009년, pp.751 - 755
김민기 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) , 임지용 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) , 최영환 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) , 김영실 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) , 석오균 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) , 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부)
We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AIGaN/GaN SBD showed high forward curr...
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M. N. Yoder, 'Wide bandgap semiconductor materials and devices', IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 43, No. 10, p. 1633, 1996
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M.-W. Ha, Y.-W. Choi, J. Lim, and M.-K. Han, ' $SiO_2$ passivation effects on the leakage current in AlGaN/GaN/ high-electron- mobility transistors employing additional schottky gate', Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B, p. 2291, 2007
J. Lim, 'Increase of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs by Employing As+ Ion Implantation on $SiO_2$ Passivation Layer', Solid State Devices and Materials, p. 168, 2007
M.-W. Ha, 'An improved junction termination design employing shallow trenches and field limiting rings for power devices', Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 45, No. 2A, p. 626, 2006
Y. Ohno, 'Effects of surface passivation on breakdwon of AlGaN/GaN high-electron- mobility transistors', Appl. Phys. Lett., Vol. 84, No. 12, p. 2184, 2004
J. Lim, '1.4 kV AlGaN/GaN HEMTs employing As+ ion implantation on $SiO_2$ passivation layer', IEEE Power Electronics Specialists Conference(PESC), p. 88, 2008
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