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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.43 no.6, 2010년, pp.309 - 314
The numerical study for the effect of various factors that affect the temperature distribution of the process glass installed above the large rectangular heater plate was carried out. For the calculation, heat flux, distance between heat source and process glass plate, effect of vacuum condition and...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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챔버 내부의 온도 분포를 확인한 결과, 대칭성이나 일정 온도구배가 확인되기 어려운 이유는? | 또한 챔버 내부의 온도 분포도 진공상태인 앞 절의 결과와 다르게 대칭성이나 일정 온도구배는 확인하기 어렵다. 이러한 결과는 대기압 조건에 의한 챔버 내부공기의 강한 대류 유동에 의한 것으로 파악된다. 이 결과 앞 절의 진공상태와는 다르게 대류 열전달에 의한 냉각효과의 증대로 피가열물의 온도는 약 350°C 정도로써 상대적으로 낮은 온도를 보이고 있으며 관련 연구 8,9) 에서 유사한 결과를 확인할 수 있다. | |
태양전지 흡수층 제조 공정에서 생산수율의 증대를 위해 필수적인 것은? | 특히 솔라셀 제조 공정에서는 웨이퍼의 공정온도를 일정 상태로 유지시켜야 할 뿐만 아니라, 웨이퍼 상의 온도구배를 최소화시킴으 로써 화합물 반도체 상변이를 웨이퍼(기판)의 전면에 균일하게 만들어 줌으로써 솔라셀의 변환효율의 증대를 얻고자 하고 있다. 태양전지 흡수층 제조 공정에서 생산수율의 증대를 위해서는 대면적화가 필수적이며 이를 위해 웨이퍼나 유리의 중심과 가장 자리 간의 온도편차를 최소화하는 것은 해결하여야할 매우 중요한 과제가 된다. 그동안 박막 제조 공정에서 열 및 유동을 고려한 연구들이 수행되어 필름 증착율이나 성장해석의 수학적 모델 2,3) , 반응기의 온도와 대류 열전달 계수 및 열복사의 영향에 관한 연구 4-6) , 반도체용 히터 플레이트의 열전달 해석, 챔버 내부 자연대류의 온도균일도에 미치는 영향 및 서셉터(susceptor) 설계와 관련한 연구 7-9) 등많은 관련 연구가 수행되었다. | |
반도체 공정에 사용되는 CVD, PVD 및 스퍼터 공정 장비에서 온도를 일정한 상태로 유지시킬 필요성이 자주 발생하는 이유는 무엇인가? | 반도체 공정(process)을 통해 각종 소재(material) 를 웨이퍼(wafer) 상에 증착(deposition)하기 위해 많이 이용되고 있는 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 공정 및 스퍼터 (sputter) 공정 장비에서는 솔라셀(solar cell)을 포함해 각종 전자소자 제작용 웨이퍼의 온도를 일정한 상태로 유지시킬 필요성이 자주 발생한다. 이는 증발되는 소재와 웨이퍼 또는 이미 증착된 소재와의 완전 결합을 위한 최적의 증착조건을 달성하는 데필요하기 때문이다. 예를 들어 CuInGaSe2 및 CdTe 등 다원소 화합물 흡수체를 이용한 솔라셀(solar cell)의 경우, 셀의 변환효율을 향상시키기 위해 흡수층이 증착되는 웨이퍼(기판)의 공정온도 조절이 필요하게 된다 1) . |
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