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NTIS 바로가기한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.46 no.6, 2013년, pp.283 - 289
강환국 (동은에이티에스) , 임광빈 (신안산대학교 기계과)
The experimental study for the temperature uniformity on the wafer using liquid-vapor phase heat transfer mechanism is performed. For the experiment, the heater plate which is consist of stainless steel container, working fluid and electrical heater is designed, manufactured and tested at the range ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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웨이퍼의 온도 구배에 미치는 인자에는 무엇이 있는가? | 또한 웨이퍼를 요구되는 온도로 균일하게 가열하여 빠른 시간 내에 유지하는 것은 웨이퍼의 특성뿐 아니라 반도체 소자의 생산수율에 직접적인 영향을 미치며 점차 대면적화 하는 추세이다. 온도 구배에 미치는 인자들로는 각 구성물질의 열적물성, 내부 진공도, 가열면의 열적 상태, 열전달 요소 간 온도 등이며, 상호 매우 복잡하게 관련되어 있다. 그 동안 관련 반응기의 온도와 대류 열전달 계수 및 열 복사의 영향에 관한 연구2-4), 반도체용 히터 플레이트의 열전달 해석5), 챔버 내부 자연대류의 온도균일도에 미치는 영향 및 서셉터(susceptor) 설계와 관련한 연구6-9) 등 많은 연구가 수행되었다. | |
반도체 공정 장비에서 코팅층의 우수한 특성과 웨이퍼의 변형 방지 등을 고려한 고품질 반도체를 얻기 위하여 히터 플레이트의 매우 균일한 온도 분포가 요구되는 이유는 무엇인가? | 이러한 공정 장비에서는 코팅층의 우수한 특성과 웨이퍼의 변형 방지 등을 고려한 고품질을 얻기 위하여 가열장치인 히터 플레이트의 매우 균일한 온도 분포가 요구되고 있다1). 이는 증발되는 소재와 웨이퍼 또는 이미 증착된 소재와의 완전 결합을 위한 최적의 증착조건을 달성하는 데 필요하기 때문이다. 예를 들어 CuInGaSe2 및 CdTe 등 다원소 화합물 흡수체를 이용한 솔라셀(solar cell)의 경우, 웨이퍼의 공정온도를 일정한 상태로 유지시켜야 할 뿐만 아니라, 웨이퍼 상의 온도구배를 최소화시킴으로써 화합물 반도체 상변이를 웨이퍼(기판)의 전면에 균일하게 하여 변환효율의 증대를 얻고자 하고 있다. | |
반도체 공정에서 각종 소재를 웨이퍼 상에 증착하기 위해 사용되는 공정은 무엇인가? | 반도체 공정을 통해 각종 소재를 웨이퍼(wafer)상에 증착(deposition)하기 위해 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 공정및 스퍼터(sputter) 공정이 많이 이용되고 있다. 이러한 공정 장비에서는 코팅층의 우수한 특성과 웨이퍼의 변형 방지 등을 고려한 고품질을 얻기 위하여 가열장치인 히터 플레이트의 매우 균일한 온도 분포가 요구되고 있다1). |
D. H. Choi, J. KSME B, 40 (2000) 39.
T. J. Mountziaris, K. F. Jenson, J. Eletrochemical Soc. 138 (1991) 2426.
R. Mucciato, N. J. Lovergine, Crystal Growth, 221 (2000) 758.
T. Bergunde, M. Dauelsberg, L. Kadinski, L. Makarov, N. Yu, V. S. Yuferev, D. Schmiz, G. Strauch, J. Crystal Growth, 180 (1997) 660.
J. S. Park, H. G. Kwon, H. H. Cho, Proc. KSME, (2007) 3165.
J. H. Lee, J. B. Yoo, S. I. Bae, J. Kor. Crystal Growth and Crystal Tech., 15 (2005) 135.
S. Y. Lee, H. H. Cho, Y. W. Lee, Proc. KSME, (2000) 261.
Y. H. Park, Trans. KSME B, 27 (2003) 1525.
H. S. Hong, M. S. Kong, H. K. Kang, J. of KSHT, 22( 2009) 162.
P. D. Dunn, D. A. Reay, Heat pipes, Pergamon Press, 4Ed., (1994) 107.
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