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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.2, 2010년, pp.98 - 102
This paper describes that single crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films have been deposited on carbonized Si(100) substrates using hexamethyldisilane (HMDS,
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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SiC 전력반도체 소자는 어떤 특징이 있는가? | SiC 전력반도체 소자는 Si 기반 반도체에 비하여 8배 정도 높은 절연파괴 전계강도를 가지고 있어 보다 높은 내전압을 가진 소자를 만들 수 있다. 또한, Si보다 3배 높은 열전도율에 의해 별도의 히트 싱크나 냉각팬이 필요하지 않고 자체적으로 쉽게 열을 방출할 수 있는 장점을 지녀 고온에서 안정적인 특성을 가진다. 그리고, 높은 포화 드리프트 속도로 인해 전력변환 스위칭소자로 만들 경우 Si 기반의 전력소자와 비교하여 소자 크기와 도통 손실를 획기적으로 감소시킬 수 있다. 따라서, SiC는 고전압이면서도 저전력 손실이라는 특징과 더불어 고온에서도 안정적으로 동작가능한 차세대 전력반도체 소자용 재료로 연구가 진행되고 있다[4]. | |
3C-SiC는 어떤 성장이 가능한가? | 이러한 특성을 지닌 SiC 중 3C-SiC는 4H, 6H와는 다르게 벌크 상태로 성장이 불가능하나 Si 기판 혹은 절연막 위에 이종성장에 의한 대면적의 성장이 가능하다. 또한, 전자 및 기계적 특성이 벌크 SiC에 상응하고 일괄공정에 의한 기존의 Si 기반기술을 이용할 수 있어 MEMS에 적용 가능하다[5]. | |
3C-SiC는 고온 성장 시 두 물질 간의 큰 격자부정합과 열팽창계수의 차이로 인해 결함이 발생하는데 이를 보완하는 방법은? | 그러나, 고온 성장시 두 물질 간의 큰 격자부정합과 열팽창계수의 차이로 인해 결함이 발생한다[6]. 그래서, 결함이 작고 고온에서도 우수한 결정질을 갖는 박막을 성장하기위해 버퍼층으로 탄화막을 이용한다[7]. |
한국전력 전력통계속보, 370호, 2009.
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