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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.7, 2004년, pp.724 - 728
정귀상 (동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스공학전공) , 정수용 (동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스공학전)
This paper describes on RIE(Reactive Ion Etching) characteristics of 3C-SiC(Silicon Carbide) grown on Si(100) wafers. In this work, CHF
Sarro, Pasqualina M. Silicon carbide as a new MEMS technology. Sensors and actuators. A, Physical, vol.82, no.1, 210-218.
Yang, Y. T., Ekinci, K. L., Huang, X. M. H., Schiavone, L. M., Roukes, M. L., Zorman, C. A., Mehregany, M.. Monocrystalline silicon carbide nanoelectromechanical systems. Applied physics letters, vol.78, no.2, 162-164.
McLane, G. F., Flemish, J. R.. High etch rates of SiC in magnetron enhanced SF6 plasmas. Applied physics letters, vol.68, no.26, 3755-3757.
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