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NTIS 바로가기한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신, v.35 no.1A, 2010년, pp.80 - 86
이용재 (동의대학교 전자공학과) , 이종형 (동의대학교 전자공학과) , 한대현 (동의대학교 전자공학과)
This work has been measured and analyzed the device degradation of NBTI (Negative Bias Temperature Instability) stress induced the increase of gate-induced-drain-leakage(GIDL) current for p-MOS transistors of gate channel length 0.13 [
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