최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.34 no.3, 2021년, pp.193 - 197
김태수 (한국항공대학교 항공전자정보공학부) , 전재홍 (한국항공대학교 항공전자정보공학부)
The transfer characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor (a-IGZO TFT) showed the distortion in the subthreshold region after gate bias stress, in addition to the parallel shift of threshold voltage. The capacitance-voltage (C-V) curve was also deformed from its initia...
T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, J. Disp. Technol., 5, 273 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1109/jdt.2009.2021582]
E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater., 24, 2945 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201103228]
H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 89, 112123 (2006). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2353811]
J. S. Park, J. K. Jeong, H. J. Chung, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 92, 072104 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2838380]
J. Y. Kwon, J. S. Jung, K. S. Son, K. H. Lee, J. S. Park, T. S. Kim, J. S. Park, R. Choi, J. K. Jeong, B. Koo, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 97, 183503 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3513400]
C. T. Tsai, T. C. Chang, S. C. Chen, I. Lo, S. W. Tsao, M. C. Hung, J. J. Chang, C. Y. Wu, and C. Y. Huang, Appl. Phys. Lett., 96, 242105 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3453870]
K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. Yang, C. S. Hwang, S. H. Ko Park, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, IEEE Electron Device Lett., 31, 1404 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1109/led.2010.2073439]
K. H. Lee, J. S. Jung, K. S. Son, J. S. Park, T. S. Kim, R. Choi, J. K. Jeong, J. Y. Kwon, B. Koo, and S. Lee, Appl. Phys. Lett., 95, 232106 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3272015]
R.B.M. Cross and M. M. De Souza, Appl. Phys. Lett., 89, 263513 (2006). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2425020]
K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. Yang, C. S. Hwang, S. H. Ko Park, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, IEEE Electron Device Lett., 31, 1404 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1109/led.2010.2073439]
M. Mativenga, M. Seok, and J. Jang, Appl. Phys. Lett., 99, 122107 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3641473]
J. H. Kim, D. W. Kwon, J. S. Chang, S. W. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, and B. G. Park, Appl. Phys. Lett., 99, 043502 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3606538]
W. J. Maeng, J. S. Park, H. S. Kim E. S. Kim, K. S. Son, T. S. Kim, M. Ryu, and S. Lee, IEEE Electron Device Lett., 32, 1077 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1109/led.2011.2156756]
K. Takechi, M. Nakata, T. Eguchi, H. Yamaguchi, and S. Kaneko, Jpn. J. Appl. Phys., 48, 010203 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1143/jjap.48.010203]
K. Ghaffarzadeh, A. Nathan, J. Robertson, S. Kim, S. Jeon, C. Kim, U. I. Chung, and J. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 97, 143510 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3496029]
P. Servati and A. Nathan, J. Vac. Sci. Technol., A, 20, 1038 (2002). [DOI: https://doi.org/10.1116/1.1472427]
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.