최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기세라미스트 = Ceramist, v.13 no.6, 2010년, pp.64 - 74
박종휘 (동의대 용합부품공학과) , 이원재 (동의대 용합부품공학과)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
광역 에너지 금지대역을 갖는 새로운 반도체 재료로 연구되고 있는 것은 어떤 것이 있는가? | 이러한 물리적인 한계의 문제를 해결 하기 위해 광역 에너지 금지대역을 갖는 새로운 반도체 재료에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이런 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN, ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 많이 연구되고 있으나 잉곳성장의 어려움 등으로 인하여 잉곳 성장 기술이 확보되어 기판으로 생산성이 뛰어난 것은 SiC 밖에 없으며, 고내열, 고열전도, 고내전압특성을 고루 갖춘 탄화규소(Silicon Carbide)반도체가 21세기를 이끌 대안으로 주목 받고 있는 실정이다.1) | |
SOI에서 근본적인 초고집적화의 장애는 무엇인가? | 이러한 상황에서 현재 많은 반도체 분야를 차지하고 있는 실리콘의 경우 SOI(Silicon on Insulator)기술이 이를 뒷받침하고 있지만 실리콘 반도체의 열적 특성의 한계와 SOI의 방열특성 및 고밀도 절연특성의 한계 등으로 시스템 IC의 초고집적화 및 초고속화 등에 따른 고밀도 발열 문제를 궁극적으로 해결할 수 없다. 또한, Sub-system들 간의 isolation문제는 근본적인 초고집적화의 장애로 대두되고 있다. 이러한 물리적인 한계의 문제를 해결 하기 위해 광역 에너지 금지대역을 갖는 새로운 반도체 재료에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. | |
SOI 기술의 문제점은? | 이러한 상황에서 현재 많은 반도체 분야를 차지하고 있는 실리콘의 경우 SOI(Silicon on Insulator)기술이 이를 뒷받침하고 있지만 실리콘 반도체의 열적 특성의 한계와 SOI의 방열특성 및 고밀도 절연특성의 한계 등으로 시스템 IC의 초고집적화 및 초고속화 등에 따른 고밀도 발열 문제를 궁극적으로 해결할 수 없다. 또한, Sub-system들 간의 isolation문제는 근본적인 초고집적화의 장애로 대두되고 있다. |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.