최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.47 no.2=no.392, 2010년, pp.40 - 50
이경수 (성균관대학교 정보통신공학부) , 정고은 (성균관대학교 정보통신공학부) , 권기원 (성균관대학교 정보통신공학부) , 전정훈 (성균관대학교 정보통신공학부)
The studies of PMOS transistors in CMOS technologies are reviewed- focusing on the snapback and breakdown behavior of the parasitic PNP BJTs in high current regime. A new failure mechanism of PMOSFET devices under ESD conditions is also analyzed by investigating various I/O structures in a
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
R. A. Ashton and Y. Smooha, 'Characterization of a 0.16 ${\mu}m$ CMOS Technology using SEMATECH ESD Benchmarking Structures,' in Proceedings of 23rd EOS/ESD Symposium, pp. 435-444. Portland, 2001
G. Boselli, C. Duvvury, and V. Reddy, 'Efficient pnp Characteristics of PMOS Transistors in Sub-0.13 ${\mu}m$ ESD Protection Circuits,' in Proceedings of 24rd EOS/ESD Symposium, 2002.
C. H. Choi, 'Modeling of Nanoscale MOSFETs,' Ph.D. dissertation, Stanford University, 2002
C. Duvvury and G. Boselli, 'ESD and latch-up reliability for nanometer CMOS technologies,' IEDM Technical Digest, pp. 933-936. 2004
L. M. Ting, C. Duvvury, O. Trevino, J. Schichl. And T. Diep, 'Integration of TLP analysis for ESD Troubleshooting,' in Proceedings of 23rd EOS/ESD Symposium, pp.445-452.2001, Portland, OR, 2001
J. H. Chun, C. Duvvury , G. Boselli, H. Kunz, and R.W. Dutton, 'A PMOS Failure Caused by Localized Charge Injection,' in Proceedings of International Reliability Physics Symposium, 2004
X. Zhang, 'Modeling and characterization of substrate resistance for deep submicron ESD protection devices,' Ph.D. dissertation, Stanford University, 2002
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.